<b id="h3uoj"><abbr id="h3uoj"></abbr></b>
<strong id="h3uoj"><form id="h3uoj"></form></strong>
<th id="h3uoj"></th>
    1. <th id="h3uoj"></th>

      <tfoot id="h3uoj"></tfoot>
      熱線:021-50550642
      TECHNICAL ARTICLES

      技術(shù)文章

      當(dāng)前位置:首頁技術(shù)文章用于熱電組件的塊體PbTe與電極Ni的固態(tài)粘合

      用于熱電組件的塊體PbTe與電極Ni的固態(tài)粘合

      更新時(shí)間:2019-01-04點(diǎn)擊次數(shù):1867

      4 位作者,包括:Xavier Ferreres、 Azdiar Gazder、 Andrew Manettas、 Sima Aminorroaya Yamini

      ACS Appl. Energy Mater.,

      DOI: 10.1021/acsaem.7b00010

      Publication Date (Web): 16 Jan 2018

      【摘要】

             熱電發(fā)電機(jī)的效率由材料的熱電性能決定的,與熱電材料的熱電優(yōu)值,以及與電極的接觸情況有關(guān)。鉛硫?qū)倩锏臒犭姴牧?,特別是PbTe,在500-900K的溫度范圍內(nèi)性能良好。我們成功地將塊狀PbTe粘合到Ni電極上,形成擴(kuò)散阻擋層,避免了熱電臂與電極在工作溫度下的連續(xù)反應(yīng)。我們改進(jìn)了常用的等離子體燒結(jié)法,讓總電流都通過Ni和PbTe以及相互接觸 的界面。形成厚度約為4.5μm的薄擴(kuò)散層,僅由碲化鎳構(gòu)成。這種將PbTe與電極粘合的新技術(shù)對(duì)于熱電材料是有益的,因?yàn)橐阎邷貢?huì)損壞塊狀熱電材料。使用配有電子背散射衍射分析的掃描電子顯微鏡分析界面微觀結(jié)構(gòu),化學(xué)組成和結(jié)晶學(xué)等信息。發(fā)現(xiàn)在Ni / PbTe接觸處的相是β2 Ni3±xTe2,類似有缺陷的Cu2Sb型的基本四方晶體。

      【成果介紹】

             采用高純度的Pb、Te、Na在真空石英管中升溫到1373K,恒溫10小時(shí),然后置于冷水中萃火。并在823K退火72小時(shí),研磨等到p型PbTe,然后在793K、40Mpa壓力、真空中燒結(jié)得到直徑12mm、1.5mm厚的測(cè)試樣品。

      測(cè)試樣品與Ni電極按照下圖放好,使用等離子燒結(jié)(小于100mA、100Hz)得到終成品。

       

      使用德國(guó)Linseis LSR-3測(cè)試燒結(jié)前后PbTe以及PbTe/Ni的塞貝克系數(shù)以及電阻率,Linseis LFA1000閃光法測(cè)試熱擴(kuò)散系數(shù),并求得熱導(dǎo)率。SEM中觀察形貌,并使用EBSD分析。

      【圖文導(dǎo)讀】

      圖1.燒結(jié)前PbTe與燒結(jié)后PbTe/Ni的電導(dǎo)率以及電阻系數(shù)隨溫度變化曲線。

      圖2.PbTe/Ni界面的SEM形貌圖,其中(a,b)為20Mpa 623K持續(xù)5分鐘;(c,d)20Mpa 623K持續(xù)15分鐘??芍?,持續(xù)時(shí)間對(duì)于實(shí)際結(jié)果影響非常大。

      圖3.(a)20Mpa 648K持續(xù)5分鐘的SEM形貌圖;(b)PID燒結(jié)電流、溫度、設(shè)定溫度曲線;(c)SEM放大圖,擴(kuò)散層厚度為4.5um;(d)A點(diǎn)到B點(diǎn)原子分布

      圖4.(a)單斜晶Ni3Te2晶體結(jié)構(gòu);(b)對(duì)應(yīng)演變四方晶體

      (c)EBSD對(duì)比度面掃圖;(d)使用(b)的虛擬四邊形結(jié)構(gòu)的晶界和孿晶的EBSD相分布圖

      【結(jié)論】

             使用改進(jìn)的方法在普通的SPS設(shè)備上實(shí)現(xiàn)了塊狀p型單相PbTe和Ni電極的成功粘合。在燒結(jié)過程中消除了石墨模具對(duì)燒結(jié)電流的干擾。與使用粉末PbTe和石墨模具的大約27μm界面層相比,獲得了薄至4.5μm的連續(xù)且無缺陷的界面層。界面層僅由單斜晶β2相Ni3±xTe2組成。使用EBSD分析觀察到的一些晶粒的假對(duì)稱性,表明存在具有四方對(duì)稱性的虛擬母晶,類似于高溫四方晶Ni2.86Te2。

      上一個(gè):激光閃射法測(cè)試八面沸石的熱導(dǎo)率

      返回列表

      下一個(gè):新型不銹鋼的電阻點(diǎn)焊焊性研究

      • 企業(yè)名稱:

        林賽斯(上海)科學(xué)儀器有限公司

      • 公司地址:

        上海市浦東新區(qū)陸家嘴數(shù)智天地·智慧谷T3棟120號(hào)

      • 企業(yè)郵箱:

        links@linseis.com.cn

      • 聯(lián)系電話:

        021-50550642

      微信公眾號(hào)

      Copyright © 2025林賽斯(上海)科學(xué)儀器有限公司 All Rights Reserved  滬ICP備18045390號(hào)-2
      技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)  管理登錄  sitemap.xml  
      精品国产综合AV网,国产高清无码一区二区,久久精品亚洲一区二区三区浴池,日本乱码伦视频免
      <b id="h3uoj"><abbr id="h3uoj"></abbr></b>
      <strong id="h3uoj"><form id="h3uoj"></form></strong>
      <th id="h3uoj"></th>
      1. <th id="h3uoj"></th>

        <tfoot id="h3uoj"></tfoot>